A3I25X050GNR1
RF MOSFET LDMOS 28V OM400G-8
A3I25X050GNR1 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
تردد：
2.3GHz ~ 2.7GHz
رقم الضوضاء：
-
الجهد المقنن：
65 V
الجهد - اختبار：
28 V
تيار - اختبار：
130 mA
التصنيف الحالي (أمبير)：
10µA
كسب：
28.8dB
الطاقة - الإخراج：
5.6W
تكنولوجيا：
LDMOS (Dual)
تكوين：
2 N-Channel
الحزمة / العلبة：
OM-400G-8
المورد الجهاز الحزمة：
OM-400G-8
