A5G35H110NT4
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
A5G35H110NT4 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
التصنيف الحالي (أمبير)：
-
تكوين：
-
رقم الضوضاء：
-
الجهد المقنن：
125 V
تيار - اختبار：
70 mA
الجهد - اختبار：
48 V
كسب：
15.3dB
تردد：
3.3GHz ~ 3.7GHz
تكنولوجيا：
GaN
الحزمة / العلبة：
6-LDFN Exposed Pad
المورد الجهاز الحزمة：
6-PDFN (7x6.5)
الطاقة - الإخراج：
15.1W
