PDTA114EEAF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
PDTA114EEAF Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)：
100 mA
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)：
50 V
المقاومات المضمنة：
R1 and R2
الطاقة - الحد الأقصى：
150 mW
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى)：
1µA
نوع الترانزستور：
PNP - Pre-Biased
المقاومة - القاعدة (R1)：
10 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)：
10 kOhms
كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic، Vce：
30 @ 5mA, 5V
الحزمة / العلبة：
SC-75, SOT-416
المورد الجهاز الحزمة：
SC-75
Vce التشبع (الحد الأقصى) @ Ib, Ic：
150mV @ 500µA, 10mA
تردد - انتقال：
180 MHz
