PSMN020-30MLCX
TRANSISTOR >30MHZ
PSMN020-30MLCX Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف：
-
التأهيل：
-
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V, 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
33W (Tc)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
9.5 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
430 pF @ 15 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
1.95V @ 1mA
المورد الجهاز الحزمة：
LFPAK33
الحزمة / العلبة：
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
31.8A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
18.1mOhm @ 5A, 10V
