PSMN8R5-100ESQ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PSMN8R5-100ESQ Specifications
Mounting Type：
Through Hole
Part Status：
Active
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Supplier Device Package：
I2PAK
Package / Case：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Power Dissipation (Max)：
263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
111 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5512 pF @ 50 V
