A5G35H120NT2

RF MOSFET GAN 48V 10DFN

A5G35H120NT2
Número de pieza:
A5G35H120NT2
Fabricante:
NXP USA Inc.
Descripción:
RF MOSFET GAN 48V 10DFN
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
2000

A5G35H120NT2 Specifications

Estado de la Pieza:
Active
Tipo de Montaje:
Surface Mount
Corriente nominal (amperios):
-
Configuración:
-
Cifra de Ruido:
-
Voltaje - Clasificado:
125 V
Potencia - Salida:
18W
Ganancia:
14.1dB
Corriente - Prueba:
70 mA
Voltaje - Prueba:
48 V
Frecuencia:
3.3GHz ~ 3.7GHz
Tecnología:
GaN
Paquete / Carcasa:
10-PowerLDFN
Proveedor Dispositivo Paquete:
10-DFN (7x10)

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