PDTD113ES,126
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
PDTD113ES,126 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Through Hole
Potencia - Máx：
500 mW
Proveedor Dispositivo Paquete：
TO-92-3
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)：
50 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)：
500 mA
Paquete / Carcasa：
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Corriente - Corte del Colector (Máx.)：
500nA
Tipo de Transistor：
NPN - Pre-Biased
Resistencias Incluidas：
R1 and R2
Resistencia - Base (R1)：
1 kOhms
Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic：
300mV @ 2.5mA, 50mA
Resistencia - Base Emisor (R2)：
1 kOhms
Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce：
33 @ 50mA, 5V
