PQMD12Z
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
PQMD12Z Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Potencia - Máx：
350mW
Corriente - Corte del Colector (Máx.)：
100nA (ICBO)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)：
100mA
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)：
50V
Resistencia - Base (R1)：
47kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2)：
47kOhms
Tipo de Transistor：
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic：
150mV @ 500µA, 10mA
Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce：
80 @ 5mA, 5V
Paquete / Carcasa：
6-XFDFN Exposed Pad
Frecuencia - Transición：
230MHz, 180MHz
Proveedor Dispositivo Paquete：
DFN1010B-6
