PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
PSMN2R6-60PSQ Specifications
Tipo de Montaje：
Through Hole
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Proveedor Dispositivo Paquete：
TO-220AB
Paquete / Carcasa：
TO-220-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
60 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
140 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
150A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4V @ 1mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
2.6mOhm @ 25A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
7629 pF @ 25 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
326W (Tc)
