PDTD113ES,126
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
PDTD113ES,126 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Through Hole
Puissance - Max：
500 mW
Fournisseur Dispositif Emballage：
TO-92-3
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)：
50 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
500 mA
Boîtier：
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Courant de collecteur de coupure (Max)：
500nA
Type de transistor：
NPN - Pre-Biased
Résistances Incluses：
R1 and R2
Résistance - Base (R1)：
1 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
300mV @ 2.5mA, 50mA
Résistance - Émetteur Base (R2)：
1 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
33 @ 50mA, 5V
