PQMD12Z
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
PQMD12Z Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Puissance - Max：
350mW
Courant de collecteur de coupure (Max)：
100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
100mA
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)：
50V
Résistance - Base (R1)：
47kOhms
Résistance - Émetteur Base (R2)：
47kOhms
Type de transistor：
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
150mV @ 500µA, 10mA
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
80 @ 5mA, 5V
Boîtier：
6-XFDFN Exposed Pad
Fréquence - Transition：
230MHz, 180MHz
Fournisseur Dispositif Emballage：
DFN1010B-6
