A5G21H605W19NR3

RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4

A5G21H605W19NR3
部品番号:
A5G21H605W19NR3
製造業者:
NXP USA Inc.
Category:
RF FET、MOSFET
説明:
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
250

A5G21H605W19NR3 Specifications

部品ステータス:
Active
実装タイプ:
Surface Mount
グレード:
-
認定:
-
定格電流(アンペア):
-
コンフィギュレーション:
-
ノイズ指数:
-
ゲイン:
15.1dB
定格電圧:
125 V
電流 - テスト:
300 mA
パワー - 出力:
85W
電圧テスト:
48 V
テクノロジー:
GaN
周波数:
2.11GHz ~ 2.2GHz
パッケージ / ケース:
OM-780-4S4S
サプライヤーデバイスパッケージ:
OM-780-4S4S

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