A3G26H200W17SR3
RF MOSFET GAN 48V NI780
A3G26H200W17SR3 Specifications
부품 상태：
Obsolete
전류 정격 (암페어)：
-
컨피규레이션：
-
노이즈 피겨：
-
정격 전압：
125 V
게인：
14.2dB
전압 - 테스트：
48 V
파워 - 출력：
34W
전류 - 테스트：
120 mA
기술：
GaN
주파수：
2.496GHz ~ 2.69GHz
패키지 / 케이스：
NI-780S-4S2S
공급업체 장치 패키지：
NI-780S-4S2S
