A5G35H120NT2
RF MOSFET GAN 48V 10DFN
A5G35H120NT2 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
전류 정격 (암페어)：
-
컨피규레이션：
-
노이즈 피겨：
-
정격 전압：
125 V
파워 - 출력：
18W
게인：
14.1dB
전류 - 테스트：
70 mA
전압 - 테스트：
48 V
주파수：
3.3GHz ~ 3.7GHz
기술：
GaN
패키지 / 케이스：
10-PowerLDFN
공급업체 장치 패키지：
10-DFN (7x10)
