BUK661R6-30C118
N-CHANNEL POWER MOSFET
BUK661R6-30C118 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
10V
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
Automotive
자격 인증：
AEC-Q101
드레인-소스 전압 (Vdss)：
30 V
패키지 / 케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (최대)：
±16V
공급업체 장치 패키지：
D2PAK
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
전력 소산 (최대)：
306W (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
229 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
14964 pF @ 25 V
