MHTG1200HSR3
RF MOSFET GAN NI780
MHTG1200HSR3 Specifications
부품 상태：
Obsolete
정격 전압：
50 V
장착 유형：
Surface Mount
전류 정격 (암페어)：
-
게인：
-
노이즈 피겨：
-
주파수：
2.4GHz ~ 2.5GHz
파워 - 출력：
300W
패키지 / 케이스：
NI-780S-4L
공급업체 장치 패키지：
NI-780S-4L
기술：
GaN
컨피규레이션：
2 N-Channel
