PMN40UPEA115
P-CHANNEL MOSFET
PMN40UPEA115 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)：
20 V
Vgs (최대)：
±8V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
4.7A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
23 nC @ 4.5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
1820 pF @ 10 V
공급업체 장치 패키지：
6-TSOP
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
1.8V, 4.5V
패키지 / 케이스：
SC-74, SOT-457
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
43mOhm @ 3A, 4.5V
전력 소산 (최대)：
500mW (Ta), 8.33W (Tc)
