PMT200EN,135
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PMT200EN,135 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
100 V
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
등급：
-
자격 인증：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
패키지 / 케이스：
TO-261-4, TO-261AA
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
4.5V, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
1.8A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
235mOhm @ 1.5A, 10V
공급업체 장치 패키지：
SC-73
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
475 pF @ 80 V
전력 소산 (최대)：
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
