PMV65XPEA215
P-CHANNEL MOSFET
PMV65XPEA215 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
등급：
Automotive
자격 인증：
AEC-Q101
패키지 / 케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)：
20 V
Vgs (최대)：
±12V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
2.5V, 4.5V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
2.8A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.25V @ 250µA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
9 nC @ 4.5 V
공급업체 장치 패키지：
TO-236AB
전력 소산 (최대)：
480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
78mOhm @ 2.8A, 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
618 pF @ 10 V
