PSMN1R9-40PL127
N-CHANNEL POWER MOSFET
PSMN1R9-40PL127 Specifications
장착 유형：
Through Hole
부품 상태：
Active
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급업체 장치 패키지：
TO-220AB
패키지 / 케이스：
TO-220-3
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
4.5V, 10V
드레인-소스 전압 (Vdss)：
40 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
230 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
13200 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 1mA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
150A (Ta)
전력 소산 (최대)：
349W (Ta)
