PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
PSMN8R5-108ESQ Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
10V
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
공급업체 장치 패키지：
I2PAK
패키지 / 케이스：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
전력 소산 (최대)：
263W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 25A, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
111 nC @ 10 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
100A (Tj)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
5512 pF @ 50 V
드레인-소스 전압 (Vdss)：
108 V
