A3G26D055N-100
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
A3G26D055N-100 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Ток (Амперы)：
-
Коэффициент шума：
-
Номинальное напряжение：
125 V
Мощность - Выход：
8W
Ток - Тест：
40 mA
Напряжение - Тест：
48 V
Коэффициент усиления：
13.9dB
Технология：
GaN
Частота：
100MHz ~ 2.69GHz
Корпус：
6-LDFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус：
6-PDFN (7x6.5)
