PDTC115ES,126
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
PDTC115ES,126 Specifications
Статус детали：
Obsolete
Тип монтажа：
Through Hole
Мощность - Максимальная：
500 mW
Поставщик Устройство Корпус：
TO-92-3
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)：
50 V
Ток коллектора (Ic) (макс.)：
20 mA
Корпус：
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Тип транзистора：
NPN - Pre-Biased
Резисторы включены：
R1 and R2
Ток отсечки коллектора (макс.)：
1µA
Резистор - База (R1)：
100 kOhms
Резистор - База Эмиттера (R2)：
100 kOhms
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic：
150mV @ 250µA, 5mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce：
80 @ 5mA, 5V
