PMEG6010ESBYL

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2

PMEG6010ESBYL
Номер детали:
PMEG6010ESBYL
Производитель:
NXP USA Inc.
Описание:
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
0

PMEG6010ESBYL Specifications

Статус детали:
Active
Тип монтажа:
Surface Mount
Ток - Средний выпрямленный (Io):
1A
Скорость:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Технология:
Schottky
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.):
60 V
Рабочая температура - переход:
150°C (Max)
Емкость при Vr, Ф:
20pF @ 10V, 1MHz
Ток - Обратная утечка при Vr:
30 µA @ 60 V
Корпус:
2-XDFN
Время обратного восстановления (trr):
2.4 ns
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If:
730 mV @ 1 A
Поставщик Устройство Корпус:
DSN1006-2

Products You May Be Interested In