PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
PSMN2R6-60PSQ Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Статус детали：
Active
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
10V
Vgs (макс.)：
±20V
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс：
-
Квалификация：
-
Поставщик Устройство Корпус：
TO-220AB
Корпус：
TO-220-3
Напряжение сток-исток (Vdss)：
60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
140 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
150A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id：
4V @ 1mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
2.6mOhm @ 25A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
7629 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
326W (Tc)
