PDTA123TE,115
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
PDTA123TE,115 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)：
100 mA
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)：
50 V
الطاقة - الحد الأقصى：
150 mW
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى)：
1µA
نوع الترانزستور：
PNP - Pre-Biased
المقاومات المضمنة：
R1 Only
المقاومة - القاعدة (R1)：
2.2 kOhms
الحزمة / العلبة：
SC-75, SOT-416
المورد الجهاز الحزمة：
SC-75
Vce التشبع (الحد الأقصى) @ Ib, Ic：
150mV @ 500µA, 10mA
كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic، Vce：
30 @ 20mA, 5V
