PDTC123JK,115
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
PDTC123JK,115 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)：
100 mA
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)：
50 V
الحزمة / العلبة：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic، Vce：
100 @ 10mA, 5V
نوع الترانزستور：
NPN - Pre-Biased
المقاومات المضمنة：
R1 and R2
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)：
47 kOhms
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى)：
1µA
المقاومة - القاعدة (R1)：
2.2 kOhms
الطاقة - الحد الأقصى：
250 mW
المورد الجهاز الحزمة：
SMT3; MPAK
Vce التشبع (الحد الأقصى) @ Ib, Ic：
100mV @ 250µA, 5mA
