PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
PHN210,118 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
المورد الجهاز الحزمة：
8-SO
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-65°C ~ 150°C (TJ)
الطاقة - الحد الأقصى：
2W
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET：
Logic Level Gate
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
-
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.8V @ 1mA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
250pF @ 20V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6nC @ 10V
