PMDPB95XNE2115
MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
PMDPB95XNE2115 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
2.7A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
1.25V @ 250µA
الحزمة / العلبة：
6-UDFN Exposed Pad
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
4.5nC @ 4.5V
المورد الجهاز الحزمة：
6-HUSON (2x2)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
99mOhm @ 2.8A, 4.5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
258pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى：
510mW (Ta), 8.33W (Tc)
