PMCM650VNEZ
MOSFET N-CH 12V 6.4A 6WLCSP
PMCM650VNEZ Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (الحد الأقصى)：
±8V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
12 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
6.4A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
900mV @ 250µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 3A, 4.5V
الحزمة / العلبة：
6-XFBGA, WLCSP
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
15.4 nC @ 4.5 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
1060 pF @ 6 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة：
6-WLCSP (1.48x0.98)
