PMN40UPEA115
P-CHANNEL MOSFET
PMN40UPEA115 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع FET：
P-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
20 V
Vgs (الحد الأقصى)：
±8V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
4.7A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
950mV @ 250µA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
23 nC @ 4.5 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
1820 pF @ 10 V
المورد الجهاز الحزمة：
6-TSOP
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
1.8V, 4.5V
الحزمة / العلبة：
SC-74, SOT-457
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
43mOhm @ 3A, 4.5V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
500mW (Ta), 8.33W (Tc)
