PMT760EN,115
MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
PMT760EN,115 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
100 V
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / العلبة：
TO-261-4, TO-261AA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
900mA (Ta)
المورد الجهاز الحزمة：
SC-73
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
3 nC @ 10 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
950mOhm @ 800mA, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
160 pF @ 80 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
800mW (Ta), 6.2W (Tc)
