PMV170UN,215
MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
PMV170UN,215 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
1A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
1V @ 250µA
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
20 V
Vgs (الحد الأقصى)：
±8V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
1.8V, 4.5V
المورد الجهاز الحزمة：
SOT-23 (TO-236AB)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
165mOhm @ 1A, 4.5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
83 pF @ 10 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1.65 nC @ 4.5 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
325mW (Ta), 1.14W (Tc)
