PMV185XN,215
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
PMV185XN,215 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
1.5V @ 250µA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
1.1A (Ta)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30 V
Vgs (الحد الأقصى)：
±12V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
2.5V, 4.5V
المورد الجهاز الحزمة：
SOT-23 (TO-236AB)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1.3 nC @ 4.5 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
76 pF @ 15 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 1.1A, 4.5V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
325mW (Ta), 1.275W (Tc)
