PSMN7R6-60XSQ
MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
PSMN7R6-60XSQ Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Through Hole
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
10V
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف：
-
التأهيل：
-
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
60 V
المورد الجهاز الحزمة：
TO-220F
الحزمة / العلبة：
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
46W (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 25A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
38.7 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
2651 pF @ 30 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
51.5A (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
4.6V @ 1mA
