BUK661R6-30C118
N-CHANNEL POWER MOSFET
BUK661R6-30C118 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss)：
30 V
Package / Case：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)：
±16V
Supplier Device Package：
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)：
306W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
14964 pF @ 25 V
