PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PMT200EN,115 Specifications
Part Status：
Obsolete
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Package / Case：
TO-261-4, TO-261AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
235mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package：
SC-73
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
475 pF @ 80 V
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
