PMV65XPEA215
P-CHANNEL MOSFET
PMV65XPEA215 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Package / Case：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FET Type：
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
2.8A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
9 nC @ 4.5 V
Supplier Device Package：
TO-236AB
Power Dissipation (Max)：
480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
618 pF @ 10 V
