BUK661R6-30C118
N-CHANNEL POWER MOSFET
BUK661R6-30C118 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
Automotive
Calificación：
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Carcasa：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)：
±16V
Proveedor Dispositivo Paquete：
D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 1mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)：
306W (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
229 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
14964 pF @ 25 V
