BUK7Y25-80E/GFX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
BUK7Y25-80E/GFX Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
Automotive
Calificación：
AEC-Q101
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1800 pF @ 25 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
39A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
80 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4V @ 1mA
Disipación de Potencia (Máx.)：
95W (Tc)
Paquete / Carcasa：
SC-100, SOT-669
Proveedor Dispositivo Paquete：
LFPAK56, Power-SO8
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 10A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
25.9 nC @ 10 V
