PMN40UPEA115
P-CHANNEL MOSFET
PMN40UPEA115 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET：
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (Máx.)：
±8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
4.7A (Ta)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
950mV @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
23 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1820 pF @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete：
6-TSOP
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
1.8V, 4.5V
Paquete / Carcasa：
SC-74, SOT-457
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
43mOhm @ 3A, 4.5V
Disipación de Potencia (Máx.)：
500mW (Ta), 8.33W (Tc)
