PMPB12UN,115
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
PMPB12UN,115 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (Máx.)：
±8V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
1.8V, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
13 nC @ 4.5 V
Paquete / Carcasa：
6-UDFN Exposed Pad
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
7.9A (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
886 pF @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete：
6-DFN2020MD (2x2)
