PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PMT200EN,115 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
100 V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.5V @ 250µA
Paquete / Carcasa：
TO-261-4, TO-261AA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
1.8A (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
235mOhm @ 1.5A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete：
SC-73
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
475 pF @ 80 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
