PMV50XP215
P-CHANNEL MOSFET
PMV50XP215 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET：
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (Máx.)：
±12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
3.6A (Ta)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
900mV @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
12 nC @ 4.5 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
1.5V, 4.5V
Proveedor Dispositivo Paquete：
TO-236AB
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
744 pF @ 20 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Disipación de Potencia (Máx.)：
490mW (Ta), 4.63W (Tc)
