PMV65XPEA215
P-CHANNEL MOSFET
PMV65XPEA215 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado：
Automotive
Calificación：
AEC-Q101
Paquete / Carcasa：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET：
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (Máx.)：
±12V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
2.5V, 4.5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
2.8A (Ta)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1.25V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
9 nC @ 4.5 V
Proveedor Dispositivo Paquete：
TO-236AB
Disipación de Potencia (Máx.)：
480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
618 pF @ 10 V
