PMZB200UNE315
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
PMZB200UNE315 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
30 V
Vgs (Máx.)：
±8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
1.4A (Ta)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
950mV @ 250µA
Paquete / Carcasa：
SC-101, SOT-883
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
1.5V, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
2.7 nC @ 4.5 V
Proveedor Dispositivo Paquete：
DFN1006B-3
Disipación de Potencia (Máx.)：
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
89 pF @ 15 V
