PSMN1R9-40PL127
N-CHANNEL POWER MOSFET
PSMN1R9-40PL127 Specifications
Tipo de Montaje：
Through Hole
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete：
TO-220AB
Paquete / Carcasa：
TO-220-3
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
40 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
230 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
13200 pF @ 25 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.1V @ 1mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
150A (Ta)
Disipación de Potencia (Máx.)：
349W (Ta)
