A5G21H605W19NR3
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
A5G21H605W19NR3 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
-
Qualification：
-
Courant nominal (A)：
-
Configuration：
-
Figure de Bruit：
-
Gain：
15.1dB
Tension nominale：
125 V
Courant - Test：
300 mA
Puissance - Sortie：
85W
Tension - Test：
48 V
Technologie：
GaN
Fréquence：
2.11GHz ~ 2.2GHz
Boîtier：
OM-780-4S4S
Fournisseur Dispositif Emballage：
OM-780-4S4S
