MMRF1314H-1200
RF MOSFET LDMOS 52V NI1230
MMRF1314H-1200 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Figure de Bruit：
-
Gain：
17.7dB
Courant - Test：
100 mA
Fréquence：
1.2GHz ~ 1.4GHz
Courant nominal (A)：
10µA
Boîtier：
SOT-979A
Puissance - Sortie：
1000W
Fournisseur Dispositif Emballage：
NI-1230-4H
Tension nominale：
105 V
Technologie：
LDMOS (Dual)
Configuration：
2 N-Channel
Tension - Test：
52 V
