PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
PHN210,118 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Surface Mount
패키지 / 케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지：
8-SO
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-65°C ~ 150°C (TJ)
파워 - 최대：
2W
컨피규레이션：
2 N-Channel (Dual)
FET 피처：
Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)：
30V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
250pF @ 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
6nC @ 10V
